改变的话，也不是那么容易的事情，整个底盘都要重新设计，不可能每年都改的。

视察了广城第二基地后，徐申学后续去了一趟莞城，看看威酷实业的生产情况，并且看到了准备在八月份推向市场的新一代s21手机。

这手机就没啥好说的了，大变化没有，就是用了新的soc芯片

当然，为了宣传，智云集团那边特地在新soc上用了个四纳米工艺的名头，号称所谓的n4工艺。

但实际上这个n4工艺就是五纳米工艺的低功耗版本，有提升，但是不大。￠d·a¨n_g′y`u′e`d?u`_c￠o￠′

用现在的euv光刻机单次曝光生产的五纳米工艺，基本上已经到了物理极限了，已经没办法在工艺本身上再进行缩小尺寸，只能是在晶体管型状上想办法，尽可能的提升晶体管密度或降低功耗。

这个四纳米工艺，就是属于晶体管密度不变，但是功耗稍微降低了一些。

但是，这种技术详情，就没必要对外界普通人解释了，反正对外宣传就是说四纳米工艺。

不仅仅智云集团这么干，其实台积电，四星这两家也喜欢这么干，在工艺节点上很喜欢吹牛，尤其是四星那边吹的更狠。

目前四家主流的半导体制造厂商，即英特尔、四星、台积电、智云微电子，各家宣称的工艺节点其实差异很大。

比如七纳米工艺节点上，智云微电子的晶体管密度是一亿个，四星和台积电的在九千多万，而英特尔的嘛，还没搞出来不是他们技术不行，而是他们的十纳米工艺其实就已经有一亿个晶体管密度了。

所以实际上，英特尔的十纳米工艺，等于智云微电子和四星、台积电的七纳米工艺从技术指标上来说，这差不多。

五纳米工艺节点上，智云微电子的晶体管密度达到两亿个，台积电的一亿七千万多点。

英特尔那边相映射的是他们自称的七纳米工艺，不出意外应该有个一亿七八千万晶体管密度，但是还没有搞出来。

但是四星那边呢一亿两千多万的工艺节点就已经自吹为五纳米工艺了。

在吹牛这一块上，四星比智云微电子还狠

今年，智云微电子则是拿第二代五纳米工艺，即五纳米工艺的低功耗版本，称之为四纳米工艺不出意外的话，后续台积电以及四星也会继续跟上吹牛逼。

尽管所谓的四纳米工艺对比五纳米工艺，提升并不大，但是好歹算是有了提升，功耗的降低，也意味着散热更低，这样芯片尺寸就能做的大一些手机内部空间非常有限，散热也很难搞。

因此如果芯片的功耗控制的不好，单纯放大芯片尺寸增加晶体管数量，那么就会搞出来一个超级火龙出来如同早期高通的骁龙810芯片一样，这么多年里，还被很多消费者记着呢。

而n4工艺，功耗下降了一些，同样的散热条件下，相对芯片尺寸也就能做大一些，进而提升芯片的性能。

因此今年的s21手机，在整体的性能提升上，还是有的，只是不算很明显当然，其实就算不提升，以目前的s系列旗舰手机的性能而言也足够用了。

技术发展到现在的程度，智云s系列手机的性能，其实都有点过剩了！

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