光是一听这个十四纳米工艺的分辨率，他就知道这台euv光刻机的巨大价值了。

芯片工艺能做到做好，是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。

芯片工艺的好坏，芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传，智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺，台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。

芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。

如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。

正在研发当中，预计明年投产的等效七纳米工艺，半金属间距是二十七。

隔壁的台积电以及四星，在各工艺节点上也差不多这个水准，有一些偏差，但是不会大。

而到了二十七纳米这个半金属间距，也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后，duv浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了，很难再往下继续搞了，比如等效五纳米工艺就很难搞……当然，也不是说不行，如果套刻精度能够做到两纳米的程度，也能勉强高，但是成本会上天……

智云半导体以及对面的台积电，其实都在尝试用duv浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯，就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。

别看只是两纳米的半金属工艺的提升，但是依旧是一道难以夸张的天堑，难得很。

所以别看都在搞，但实际上都对这一技术路线望而止步……用duv浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片，这个太扯淡了，从商业角度来看完全不值得。

所以这两家芯片先进工艺的竞争对手，在使用duv浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上，都是雷声大，雨点小……都在指望euv光刻机呢。

至于四星和英特尔，他们就更惨了，他们连十纳米工艺，嗯，也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。

等效七纳米，遥遥无期……

其中的英特尔是受限于各种情况，技术推进非常不顺利，只能在十四纳米工艺上修修改改。

而四星那边，则是之前被智云半导体挖走了梁松教授，没有顶级人才的协助下他们搞起来先进工艺也很难，现在还在十四纳米工艺里打转。

同时，这两家半导体厂商，现在也开始指望用euv光刻机搞后续的七纳米工艺……用duv浸润式光刻机玩四重曝光，然后搞等效七纳米，太尼玛难了。

所以，duv浸润式光刻机受限于本身的分辨率限制，别说搞等效五纳米了，就算是用来做等效七纳米工艺，也是千难万难……也不是搞不了，而是良率太低了，进而导致芯片成本暴涨。

而芯片可是一个非常讲究性价比的东西，你性能没提升多少，但是成本暴涨好几倍，这是没有市场价值可言的。

到了等效七纳米工艺这个阶段，其实就需要euv光刻机了……因为它的分辨率更低，哪怕是单次曝光也能够达到duv浸润式

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