76;c，清洁表面；然后控制铁源和硒源的蒸发速率，铁原子束强度为01单层/分钟，硒过量以确保化学计量比。

生长过程中，吴工偶尔纠正参数：「注意衬底温度，过高会导致晶格失配，降低电子-声子耦合，目标厚度是约05n的单原子层。」

在第一个样品生长完成后，他们用x射线衍射（xrd）检查晶体结构：峰值显示良好外延，但电阻测试在液氮浴（77k）中，超导转变温度tc只有50k，远低于预期。

第二个月：「我觉得应该是硒空位缺陷导致的费米面重构不完整，吴工，尝试一下增加后退火步骤，在真空下加热到400&176;c，促进界面电荷转移。」林燃提醒道「我觉得界面效应会是关键，srtio3的极性层会诱导二维电子气，提升tc。」

这和2014年nature的一篇文献有关，在那篇文献里有提到，fese/srtio3系统可以利用界面效应将tc从8k推到100k以上。

团队叠代三次，调整硒/铁比从6:1到8:1，终于在第四个样品上看到进步：xrd显示锐利峰，表明完美晶格匹配。

第三个月，才开始初见曙光，使用高压氧掺杂，fese薄膜的晶格扭曲，a轴参数从376增加到378，电子-声子耦合增强。

在模拟观测中，显示tc能达105k。

林燃说：「我知道大家很高兴，但这还不够，我们需要继续优化。

因为月球南极的辐射环境会干扰oper对，但低温能抑制热噪声。

我们需要集成辐射屏蔽层，用硼掺杂金刚石作为缓冲，bdd的tc虽只有11k，但其宽带隙能阻挡宇宙射线。」

他们开始掺杂实验：在be腔内引入氧气束，压力控制在10-6 torr，掺杂水平01-02原子。

测试使用四探针法测量电阻-温度曲线：在氦气制冷机下，从300k降温，电阻在110k附近骤降到零，磁化率测试确认issner效应，临界电流密度jc达105 a/。

「教授，根据失败样品分析，st显示氧团簇导致相分离。」吴工说。

林燃思考片刻后说道：「调整氧束能量可行吗？」

他们调整氧束能量从5ev到3ev来对均匀性进行优化调整。

第四个月，团队终于做出第二个样品：一个5见方的晶片，表面闪烁着金属光泽，集成bdd屏蔽层厚度2μ。

测试在液氮模拟下，电阻骤降到零，能够运行简单ai算法：晶片处理100x100矩阵乘法，效率比硅基高500，且无热积累。

整个团队空前振奋，因为至少到了这里，这条路是可行的。

从路径的层面，这是能够超过硅基的材料。

在地球上，我们没有办法在短期内超过英伟达，那幺我们就仰望星空。

在团队士气为之一振的时候，林燃提醒道：「这只是地球测试，月球的微重力会影响薄膜应力，我们需模拟真空脱气。」

第六个月，团队在真空模拟舱里进行最终验证。

实验人员戴上手套，动作小心地将样品放入测试架。

所有成员都屏气凝神，

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