局。

「和我们猜测的一样，焊接工艺很精细，华国在这方面我感觉又有了进步。

之前的第一代熊猫在电路板的焊接工艺上就比苏俄的产品要表现的更好，这一代感觉还要更好一些。

布局和调谐电路一直是华国的强项，我们得记录下来好好学习他们的设计思路。」穆勒说。

随后穆勒这才发现了异常：「华国居然用了平面工艺！」

华国在当下研发出平面工艺并不奇怪，要是没有才奇怪。

平面工艺是指通过在硅晶片表面形成氧化层并进行光刻、掺杂等步骤，制造出性能更稳定、一致性更高的电晶体和集成电路。

平面工艺1959年被研发出来之后，在当下已经成为了技术主流。

哪怕没有树莓派、林燃的提醒、华国半导体研发力量的集结，这些都没有，原时空里华国电子科技集团第13研究所的前身河北半导体研究所也在1964年开发出了硅外延平面型电晶体。

六十年代初期，华国在半导体领域一直都有追踪上前沿技术步伐。

而现在，情况远比原时空要乐观的多，华国全新一代的可携式收音机，已经和西方阵营高级货在质量上有的一拼了。

这也得益于树莓派带来的一些技术启发，比如发光二极体，就让华国的科学家们意识到硅基掺杂硼（p型）或磷（n型）掺杂剂能够精确控制电晶体的电学性能。

「不，我感觉这效果已经不仅仅是简单的扩散掺杂了，我怀疑他们搞定了离子植入技术。」穆勒似乎从广播声音中找到了些许灵感。

在座工程师们面面相觑，因为大家没听说过这玩意。

「离子注入是什幺？」

「我们都知道掺杂是指在硅中故意引入杂质，以改变其电学性能，形成电晶体和二极体所需p-n结。

而这种掺杂分两种，一种是扩散，基于高温通过气体将掺杂原子引入到硅晶圆的表面，再扩散到晶格中。」

「气体扩散这一技术在40年代就出现了，50年代贝尔实验室实现了精确控制，贝尔实验室1951年在《physical review》发表的论文里就详细描述了硅电晶体的扩散掺杂，公开了该技术。

当时电晶体的发明者肖克利提出了另外一项扩散技术，就是离子植入。

但目前硅谷都不一定实现了量产的离子植入工艺，华国人是怎幺搞定的呢？」穆勒百思不得其解，「而且要是真用到了离子植入，30美元一台的价格也未免太便宜了一点。有可能是我猜测错误。

如果我猜测错误的话，就是华国在气体扩散技术上有所突破，总之无论是哪种可能，我都建议我们要加大和华国的技术交流，我们和华国又没有矛盾，在半导体领域，我们完全可以合作，也应该要合作，尤其在东德要推广ogas的当下。」

(本章完)