前的10c工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是heuv-300b光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。

而10d工艺，则是需要更先进的heuv-300c光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。x~z?h+a-i!s+h,u!~c¨o_-

主要是heuv-300c光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其15纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造euv单次曝光工艺的主力光刻机。

至于更老旧的heuv-300b，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的heuv-300c，海湾科技都不愿意继续生产heuv-300b了。

这也和海湾科技自己的策略有关，因为euv的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点euv光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。

而不是用宝贵的euv镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。

所以，海湾科技把heuv-300b光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买heuv-300c啊！

最后客户一算，heuv-300c虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。

别说智云微电子了，现在中芯采购euv光刻机，都是采购heuv-300c型了，只是他们没啥钱，买的很少。

现在的heuv-300c光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。

当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。

如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列euv双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的heuv-300d！

这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级euv光刻机，专门为了euv双重曝光工艺而研发。

不出意外的话，这也将会是heuv-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。

要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300d光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。

然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？

现在的euv光刻机可就不太好用了。

怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！

光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在duv光刻机时代基本已经到极限了，euv光刻机则是使用缩小波长的方式来获得

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