月份后就能够配合工艺研发部门对十四纳米工艺进行配套的各项测试工作，预计今年年底就能够对十四纳米芯片进行试产，而量产规划预计在明年的第二季度。”

“今年上半年激活的二十一号厂项目，主要瞄准未来的十纳米工艺，作为十纳米工艺节点的研发阶段的测试工厂，预计时间节点为明年进行初步试产，测试，后年第二季度进行量产。”

“而今年下半年激活的二十二号厂，则是直接瞄准未来的七纳米工艺，争取在后年进行试产，大后年，也就是17年做到量产。”

“江城存储那边的十九号厂以及二十号厂，十九号厂主要生产先进内存工艺，二十号厂则是闪存工厂。”

今天的会议，主要还是讨论逻辑芯片领域（cpu/gpu等），所以这存储芯片（运行内存以及闪存）领域，丁成军就说的不多，简单提一嘴就掠过，把话题重新集中到逻辑芯片领域。

只听丁成军继续道：“基于工艺研发以及工厂的高度关联性，我们采取一边建设一边研发的模式，确保在我们的未来新一代工艺获得突破之后，工厂方面就能做好相应的生产准备。”

“而不是和现在这样，我们的工厂建设落后于我们的工艺研发速度！”

“毕竟现在的工艺推进速度是比较快的，工厂方面也要提前建设，不然来不及。”

“我们的研发团队判断，未来几年来，随着多重曝光技术以及3d晶体管技术等技术的逐渐成熟，将会高速推进工艺的发展。”

“我们的研发团队判断，尤其是梁松教授的意见是，最迟今年年底，我们就能够完善十四纳米工艺，进而开始各项测试，为量产进行准备，预计明年上半年就能够投入生产，整体的技术进步速度是比较快的。”

“大后年则是推动到七纳米工艺！”

“因为上述一系列的工艺进步，都是基于现有的多重曝光技术以及3d晶体管技术的深度挖掘推进，受到光刻机物理极限的限制，晶体管上的栅极长度技术推进上，整体幅度是比较小的，可能就是两纳米，甚至一纳米的微小进步。”

“更主要的工艺进步还是基于3d晶体管的设计以及多重曝光技术的提升，而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”

“我们的技术团队判断，在推进到等效七纳米工艺之前，我们不会遇到太大的关键性技术难题，倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦，但这并不是工艺的问题，而是光刻机的问题。”

“我们的等效七纳米工艺的前期研发里，准备采用的技术就是使用现有的duv浸润式光刻机进多重曝光，只是这样做生产效率低，而且良率也低，成本会比较高。”

“技术部门认为，如果要实现比等效七纳米更低的工艺，最好还是使用光源波长更短的euv光刻机，继续使用duv浸润式光刻机的话，在成本上很难接受，商业化比较困难。”

“当然，现在没有euv光刻机，时间也太早，我们暂时不谈比七纳米更小的未来工艺，我们目前聚焦的还是十八纳米，十四纳米，十纳米以及未来七纳米这四个可以基于现有duv浸润式光刻机生产的工艺节点。”

“基于工艺技术的快速进步，我们也需要做好相应的先进生产线的

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